最近，赞许直流模仿生物突触的基本电子器件取得了重大进展。
（d）[M4N]BF4修饰的PSC的外量子效率和积分电流，继助（e）偏置电压为0.92V时，[M4N]BF4修饰的PSC的的稳态功率输出。力土6.大尺寸钙钛矿单晶制备技术研究。
首个输电（d）有无[M4N]BF4修饰的钙钛矿器件的莫特-肖特基图。研究表明，工程这种低温制备、可控、高通量的印刷技术应用于制备高质量钙钛矿薄膜时，有效拓宽了薄膜制备的工艺窗口。【成果简介】近日，投运中科院大连化学物理研究所刘生忠研究员、投运王开（共同通讯作者）等人报道了一种利用高压气体萃取（HPNE）策略来辅助钙钛矿结晶。
因此，赞许直流优化缝模涂层技术的制备过程并进一步提升制备器件的性能对于实现大面积、卷对卷生产是至关重要。团队简介：继助薄膜太阳电池研究组（DNL1606）依托于洁净能源国家实验室（筹）太阳能研究部、继助东北先进制造与材料大型仪器中心、大连市柔性光伏工程中心等先进科研平台。
（b）对照组、力土[M4N]BF4修饰的PSC以及刀片涂层制备[M4N]BF4层和HTL的钙钛矿器件反扫J-V曲线。
而气体处理辅助的缝模涂层制备的PSC的最高PCE仅为15.57％，首个输电这远低于大规模应用的要求。（b）当在Presynapse-1和Presynapse-2上施加具有时空相关性的刺激脉冲时，工程所产生的EPSC的示意图。
投运（h）突触权重和有效电压幅度随Δt的变化。赞许直流（e）Au/Ti/h-BN/Cu和Au/h-BN/Au突触器件的横截面TEM图像。
图十四、继助具有混合颜色识别功能的神经形态计算视觉应用（a）人类视神经系统的示意图，继助以及h-BN/WSe2和h-BN/WCL/WSe2分别用作光电探测器和突触器件的示意图。力土（e）Metal-Al2O3/MoTe2-Metal垂直结构器件的多次I-V测试结果。
